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    EXCELITAS 埃塞力达  C30724EH  大容量、高成本效益型Si APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30724EH 大容量、高成本效益型Si APD

    EXCELITAS 埃塞力达 C30724EH 大容量、高成本效益型Si APD

    C30724EH—硅APD,500um,TO封装 C30724EH硅雪崩光电二极管(Si APD)采用金属TO封装,提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。

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    EXCELITAS 埃塞力达  C30724EH  大容量、高成本效益型Si APD

    C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度,上升和下降时间约为5 ns,下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用,可在固定电压下工作,无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。

    主要特性:

    • 采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD
    • 5 ns上升+下降时间-无拖尾
    • 低放大倍数下运行
    • 无需温度补偿

    关键应用:

    • 激光测距
    • 激光测距仪
    • 交通测速枪

    规格

    感光面积:0.2mm2
    感光直径:0.5 mm
    击穿电压:350V
    电容:1 pF
    暗电流:20 nA
    增益:>12、15、<18
    噪声电流:0.1pA/√Hz
    封装:TO-18
    峰值灵敏度波长:920 nm
    光敏直径:0.5 mm
    光敏直径:0.5 mm
    响应度:在920 nm处为8.5 A/W
    上升/下降时间:5 ns
    总暗电流(基板+表面):20 nA
    工作电压范围:150-200 V
    波长:400-1100nm

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