HAMAMATSU 滨松 S8553 硅光电二极管
| 受光面 | 18 × 18 mm |
|---|---|
| 像素数 | 1 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 散热 | 非冷却型 |
| 反向电压（最大值） | 5 V |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.06 A/W |
| 暗电流（最大值） | 5000 pA |
| 上升时间（典型值） | 18 μs |
| 结电容（典型值） | 8000 pF |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，感光灵敏度：λ = 193 nm，除非另有说明 |
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