HAMAMATSU 滨松 G6849 InGaAs PIN 光电二极管阵列
| 受光面 | φ2 mm |
|---|---|
| 像元数 | 1（象限） |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-5 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 灵敏度波长范围 | 0.9 到 1.7 μm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 1.55 μm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.95 A/W |
| 暗电流（最大值） | 5 nA |
| 截止频率（典型值） | 30 MHz |
| 结电容（典型值） | 100 pF |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明 |
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