C13534-12 设计用于使用光致发光法测量发光量子产率的瞬时绝对值。（400 nm 至 1100 nm）。此外，使用新设计的选件可轻松扩展的功能，可在高达 1650 nm 的近红外光下以高灵敏度（评估低量子产率）和上变频发光进行测量。

C13534-11 设计用于使用光致发光法测量发光量子产率的瞬时绝对值。（300 nm 至 950 nm）。此外，使用新设计的选件可轻松扩展的功能，可在高达 1650 nm 的近红外光下以高灵敏度（评估低量子产率）和上变频发光进行测量。

ODPL 测量系统使用积分球来测量全向光致发光光谱并确定样品的发射效率。此过程是非破坏性和无接触的，可以立即计算 IQE（内部量子效率）。IQE 是 GaN 单晶体质量评估所必需的，GaN 单晶体作为功率器件材料受到瞩目。对钙钛矿晶体的质量评估也有必要，预计这些元素有助于提高太阳能发电和 LED 的效率。

C14631-03 是高灵敏度、性价比卓越的型号。（300 nm 至 1040 nm）

C14631-02 是高灵敏度、性价比卓越的型号。（250 nm 至 840 nm）

C14631-01 是高灵敏度、性价比卓越的型号。（300 nm 至 800 nm）

C10028-02 是近红外型号。（1600 nm 至 2350 nm）

C10028-01 是近红外型号。（900 nm 至 1650 nm）

C10027-02 是超高灵敏度型号。（350 nm 至 1100 nm）

C10027-01 是超高灵敏度型号。（200 nm 至 950 nm）

C14880-01 可实现低杂散光，并通过查看光学布局实现高精度光谱分析。通过使用带有内置制冷元件的传感器，可实现低噪声和高可再现性测量。

倒置光发射显微镜是一种背面分析系统，旨在通过检测半导体器件缺陷发射的光和热来识别故障位置。

PHEMOS，能够适应未来 PHEMOS-X 是一款高分辨率微光显微镜，它能通过探测半导体器件缺陷导致发射的微弱光和热来定位失效位置。

iPHEMOS，能够适应未来 iPHEMOS-MPX 是一款高分辨率微光显微镜，它能通过探测半导体器件中缺陷导致发出的微弱光和热来定位失效位置。

Dual PHEMOS，能够适应未来 Dual PHEMOS-X 专为先进的 3D 非透明器件所设计，在这些器件中，可能需要在晶圆或芯片级的两侧（正面和背面）同时进行光学 FA。