EXCELITAS埃塞力达
VTE1291-2H - 红外发光二极管T-1¾ (5mm)塑料封装，25mW,光束角±12°
VTE1291-1H—红外发光二极管，T-1 ¾ (5mm)塑料封装，20mW，光束角±12°
VTA2516H-L-SC-03-0 - Si PDA, 16元, 2.5mm间距 - GOS LE屏 VTA2516H-L-SC-03-0是一款2.5mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现低能探测。它可在这些系统中与我们的VTA2516H-H系列光电二极管阵列搭配，以实现高能探测。
VTA2516H-L-NC-00-0 - Si PDA, 16元, 2.5mm间距 VTA2516H-L-NC-00-0是一种2.5mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现低能探测。它可在这些系统中与我们的VTA2516H-H系列光电二极管阵列搭配，以实现高能探测。
VTA2516H-H-SC-01-0 - Si PDA, 16元，2.5mm间距，CsI HE晶体 VTA2516H-H-SC-01-0是一款2.5mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现高能探测。它可在这些系统中与我们的VTA2516H-L系列光电二极管阵列搭配，以实现低能探测。
VTA2516H-H-NC-00-0 - Si PDA, 16元，2.5mm间距 VTA2516H-H-NC-00-0是一款2.5mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现高能探测。它可在这些系统中与我们的VTA2516H-L系列光电二极管阵列搭配，以实现低能探测。
VTA1616H-L-SC-03 - Si PDA, 16元, 1.6mm间距, GOS LE屏 VTA1616H-L-SC-03-0是一款1.6mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现低能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1616H-H系列光电二极管阵列搭配，以实现高能探测。
VTA1616H-L-NC-00-0 - Si PDA, 16元, 1.6mm间距 VTA1616H-L-NC-00-0是一种1.6mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现低能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1616H-H系列光电二极管阵列搭配，以实现高能探测。
VTA1616H-H-SC-01-0 - Si PDA, 16元，1.6mm间距，CsI HE晶体 VTA1616H-H-NC-00-0是一款1.6mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现高能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1616H-L系列光电二极管阵列搭配，以实现低能探测。
VTA1616H-H-NC-00-0 - Si PDA, 16元，1.6mm间距 VTA1616H-H-NC-00-0是一款1.6mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现高能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1616H-L系列光电二极管阵列搭配，以实现低能探测。
VTA1216H-L-SC-03-0 - Si PDA, 16元, 1.2mm间距, GOS LE屏 VTA1216H-L-SC-03-0是一款1.2mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现低能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1216H-H系列光电二极管阵列搭配，以实现高能探测。
VTA1216H-L-NC-00-0 - Si PDA, 16元, 1.2mm间距 VTA1216H-L-NC-00-0是一种1.2mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现低能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1216H-H系列光电二极管阵列搭配，以实现高能探测。
VTA1216H-H-SC-01-0 - Si PDA, 16元，1.2mm间距，CsI HE晶体 VTA1216H-H-SC-01-0是一款1.2mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现高能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1216H-L系列光电二极管阵列搭配，以实现低能探测。
VTA1216H-H-NC-00-0是一款1.2mm间距16元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以便在双能探测结构中实现高能探测。它可在这些系统中与我们的VTA1216H-L系列光电二极管阵列搭配，以实现低能探测。
VTA0832H-H-NC-00-0 - Si PDA, 32元，0.8mm间距 VTA0832H-H-NC-00-0是一款0.8mm间距32元件光电二极管阵列，专门用于X射线探测。订购时可以选配各种闪烁晶体，以实现高能或低能探测。
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