EXCELITAS埃塞力达
C30662EH - InGaAs APD, 200um, TO-18 C30662EH大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用带大孔径玻璃窗口的气密TO-18封装，具有200 µm的感光直径。
C30662ECERH-1 - InGaAs APD, 200um, 陶瓷型 C30662ECERH-1大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用陶瓷基板载体，具有200 µm的感光直径，以及> 4V的Delta Vbd-Vop。
C30662ECERH - InGaAs APD, 200um, 陶瓷型 C30662ECERH大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用陶瓷基板载体，具有200 µm的感光直径。
C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, SMD封装 埃赛力达C30645L-080雪崩光电二极管是一款高速、大面积InGaAs APD，可在1000 nm到1700 nm光谱范围内提供低噪音、高量子探测效率和高响应度。这种光电二极管采用紧凑型SMD封装并提供80 µm感光直径。
C30645EH - InGaAs APD, 80um, TO-18 薄型 C30645EH大面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装和小孔径硅窗口，具有80 µm感光直径。
C30645ECERH - InGaAS APD, 80um, 陶瓷型 C30645ECERH大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用陶瓷基座载体，具有80 µm的感光直径。
C30927EH-03 - 硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 800 nm
C30927EH-02硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 900 nm
C30927EH-01 - Si APD四象限探测器 - 1.5 mm - 1060 nm C30927EH-01四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“直通”结构。
C30737PH-500-90N - Si APD, 500um, 塑料, 900nm增强型 C30737PH-500-90N硅雪崩光电二极管(APD)在塑料T 1¾封装中提供500 µm的感光直径和增强的900 nm响应。
C30737PH-500-80N - Si APD, 500um, 塑料, 800nm增强型 C30737PH-500-80N硅雪崩光电二极管(APD)在塑料T 1¾封装中提供500 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
C30737PH-230-90N - Si APD, 230um, 塑料, 900nm增强型 C30737PH-230-90N硅雪崩光电二极管(Si APD)在塑料T 1¾封装中提供230 µm的感光直径和增强的900 nm响应。
C30737PH-230-80N - Si APD, 230um, 塑料, 800nm增强型 C30737PH-230-80N硅雪崩光电二极管(Si APD)在塑料T 1¾插入式封装中提供230 µm感光直径和增强的800 nm响应。
C30737MH-500-90N - 硅APD, 500um, LLC, 900nm增强型 C30737MH-500-90N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚叠层载体(LLC)中提供500 µm的感光直径和增强的900 nm响应。
C30737MH-500-80N - 硅APD, 500um, LLC, 800nm增强型 C30737MH-500-80N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚叠层载体(LLC)中提供500 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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