LLAM-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-66, 200MHz, 致冷器 LLAM-900-R5BH是具有0.5mm感光直径，采用气密封装的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器。该Si APD接收器具有一个热电致冷器，并提供200 MHz的带宽。

C30659-1550E-R2AH - InGaAs APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz, 高损伤阈值 C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30662EH InGaAs APD。

C30659-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz C30659系列包括带有混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪声操作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30662EH InGaAs APD。

C30659-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值 C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550E-R08BH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30645EH InGaAs APD。

C30659-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装，以实现超低噪音工作。

C30659-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值 C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060E-R8BH装置采用C30954EH Si APD，后者经过1060nm优化，感光直径为0.8 mm。

C30659-1060-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 200MHz C30659系列混合光学APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R8BH装置采用C30954EH Si APD，后者在1060nm经过优化，感光直径为0.8nm。

C30659-1060-3AH - 硅APD接收器，3mm, TO-8, 50MHz C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R3AH装置采用C30956EH Si APD，后者经过1060 nm优化，感光直径为3 mm。

C30659-900-R8AH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 50MHz C30659系列混合光学APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装以实现超低噪音工作。我们的C30659-900-R8AH装置采用C30817EH Si APD，后者在900nm具有峰值响应，感光直径为0.8nm。

C30659-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-8, 200MHz C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-900-R5BH装置采用C30902EH Si APD，后者在900nm具有峰值响应，感光直径为0.5nm。

C30659-UV-1 - 硅APD接收器, 1x1mm, 50MHz, TO-8, UV增强型 C30659-UV-1包含一个带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪声操作。

C30950EH - 硅APD接收器, 0.8mm, 50MHz, TO-8 C30950EH是一种50 MHz带宽的硅雪崩光电二极管(Si APD)放大器模块，并包括我们的C30817硅雪崩光电二极管(APD)。C30950EH的有效直径为0.8 mm，可在400至1100 nm之间提供良好的响应，并采用经过修改的12引脚TO-8封装。

C30739ECERH-2 - 硅APD, 陶瓷载体，高增益 C30739ECERH-2短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，并且在430 nm处的量子效率高于70%，专为低光度应用而设计，如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。

C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体 C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，并且在430 nm处的量子效率高于70%，专为低光度应用而设计，如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。

C30703FH-200 - 硅APD, 10x10mm，扁平封装，无胶合窗口 C30703FH-200硅雪崩光电二极管（Si APD）的尺寸为10 mm x 10 mm，设计用于超大面积，并采用适用于辐射探测的扁平封装。C30703 Si APD具有增强的蓝光波长响应，以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。