C30884EH - 硅APD, 1mm, TO-5 C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供极高的调制能力，具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约400 MHz的调制频率无关。这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成，针对1000 nm以下波长的高响应度进行了优化。

C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型 通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度，并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。

C30902BH - 硅APD, 0.5mm, TO-18球面镜 埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD，在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的，提供多种TO-18封装配置，如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。

C30902EH-2 - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 905nm滤波器 埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD，在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的，提供多种TO-18封装配置，如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。

C30902EH - 硅APD, 0.5mm, TO-18 埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD，在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的，提供多种TO-18封装配置，如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。

C30902SH-DTC - 硅APD, 0.5mm, TO-66，光子计数，二级致冷器 埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD，可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式（VOP < VBD）以检测单光子，或用于线性模式（VOP > VBD），增益高达250。

C30902SH-TC - 硅APD, 0.5mm, TO-66，光子计数，单级致冷器 埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD，可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式（VOP < VBD）以检测单光子，或用于线性模式（VOP > VBD），增益高达250。

C30902SH-2 - Si APD，0.5mm， TO-18，光子计数型，905nm滤光片

C30902SH - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 光子计数

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