EXCELITAS埃塞力达
C30737LH-230-80N - Si APD, 230 um, LCC, 800nm增强型 C30737LH-230-80N硅雪崩光电二极管（Si APD）在无引脚陶瓷载体（LCC）中提供230 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
C30737CH-300-70—硅APD, 300um, LLC侧视封装 C30737CH-300-70硅雪崩光电二极管（Si APD）采用无引脚叠层载体（LLC），提供300 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
C30724PH—硅APD，500um，塑料封装 C30724PH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用塑料TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
C30724EH-2—硅APD，500um，TO封装，905nm滤光片 C30724EH-2硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供905 nm滤光片和低温系数。
C30724EH—硅APD，500um，TO封装 C30724EH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
LLAM-1550E-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器, 高损伤阈值 LLAM-1550E-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该APD接收器模块包含热电致冷器，可提供50 MHz的带宽和高损伤阈值。
LLAM-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器 LLAM-1550-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该InGaAs APD接收器包含一个热电致冷器，并提供 50 MHz的带宽。
LLAM-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值 LLAM-1550E-R08BH是一种高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器，其感光直径为 0.08mm，并配有热电致冷器。
LLAM-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-66, 200MHz, 致冷器 LLAM-1550-R08BH包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块，具有热电致冷器。
LLAM-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值 包含1060 nm硅（Si）APD的LLAM-1060E-R8BH高速，低光模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。这款Si APD具有热电致冷器，可提供0.8 mm的感光直径和200 MHz的带宽。
LLAM-1060-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器 LLAM-1060-R8BH包含1060 nm Si APD的高速，低光探测模拟硅雪崩光电二极管（Si APD）接收器模块。该 (Si APD) 具有热电致冷器，可提供0.8感光直径和200 MHz带宽。
LLAM-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-66, 200MHz, 致冷器 LLAM-900-R5BH是具有0.5mm感光直径，采用气密封装的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器。该Si APD接收器具有一个热电致冷器，并提供200 MHz的带宽。
C30659-1550E-R2AH - InGaAs APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz, 高损伤阈值 C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30662EH InGaAs APD。
C30659-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz C30659系列包括带有混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪声操作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30662EH InGaAs APD。
C30659-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值 C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550E-R08BH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30645EH InGaAs APD。
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