CIPRM - 相干InGaAs PIN平衡接收器模块 埃赛力达CIPRM系列平衡式光学接收器采用我们的高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益跨阻放大器，提供实用的解决方案来探测入射光学信号中高于干扰本底噪声的微小变化。其优点在于抵消了常见光学噪声。

SPCM-AQRH-TR 埃赛力达SPCM-AQRH-WX-TR是最新一代的单光子计数模块产品，专门为实现时间分辨率而选择并进行了性能优化。此系列-TR模块旨在支持时间相关单光子计数（TCSPC）、荧光寿命测量和荧光寿命成像显微镜（FLIM）方面的应用。

SPCM-NIR 埃赛力达SPCM-NIR是一款单光子计数模块，专门针对近红外波长光谱进行了选择和性能优化。这款NIR光谱增强型设备旨在支持远距离LiDAR、量子通信和显微镜以及许多其他应用。

SPCM-AQRH 埃赛力达最新改进的SPCM-AQRH单光子计数模块可在400 nm至1064 nm的波长范围内探测到单个光子，其性能参数优于其他固态或基于真空管的光子计数器。

YAG-444系列二极管 - Si PIN - 11.3 mm 埃赛力达科技的YAG系列硅PIN探测器是采用密封TO封装的高性能N型或P型Si PIN光电二极管。

YAG-200系列二极管 - Si PIN - 5.1 mm 埃赛力达科技的YAG系列硅PIN探测器是采用密封TO封装的高性能N型或P型Si PIN光电二极管。

YAG-100系列二极管 - Si PIN - 2.54 mm 埃赛力达科技的YAG系列硅PIN探测器是采用密封TO封装的高性能N型或P型Si PIN光电二极管。

C30956EH—硅APD, 3mm, TO-8封装 C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径，在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计，使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强，不会产生任何不良影响。

C30955EH - Si APD, 1.5mm, TO-5封装 C30955EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(APD)提供1.5 mm感光面直径和1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。

C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装 C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。

C30733EH-1 - InGaAs APD, 30um, TO-18薄型 埃赛力达C30733EH-1​​​​​​​小面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装提供30 µm感光直径。C30733EH-1针对1310至1650 nm的波长范围进行了优化，适用于需要极快响应和恢复时间的高端测试设备，例如电信中的OTDR。

C30733BQC-01 InGaAs APD, 30µm光纤尾纤带FC/APC连接器

C30662L-200 - InGaAs APD, 200um, SMD封装 埃赛力达​​​​​​​C30662L-200雪崩光电二极管是高速大面积InGaAsAPD，可在1000 nm和1700 nm区间提供高量子探测效率、高响应性和低噪音。C30662L-200光电二极管在紧凑型SMD封装中提供200 µm的感光直径。

C30662EH-3 - 铟镓砷APD, 200um, TO-18, 小孔径 C30662EH-3大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用带小孔径玻璃窗口的气密TO-18封装，具有200 µm的感光直径。

C30662EH-1 - InGaAs APD, 200um, TO-18 C30662EH-1大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD）采用气密TO-18封装，提供200 µm的感光直径，以及具有Delta Vbd-Vop > 4V的大孔径玻璃窗口。